AMAT 0041-75950 Cchemischer Gasphasenabscheidungsreaktor

Beschreibung

Der AMAT 0041-75950 ist ein CVD-Reaktor (Chemical Vapour Deposition), der als temperaturgesteuerter Heiz- oder Kühlreaktor für die Dünnschichtabscheidung konzipiert ist. Es wird verwendet, um konforme und gleichmäßige Filme auf verschiedenen Substraten abzuscheiden. Der Reaktor besteht aus einer Reaktionskammer, die in einem vakuumdichten Behälter eingeschlossen ist, was eine präzise thermische Kontrolle und einen effizienten Materialtransfer ermöglicht. Dieses Gerät arbeitet in einem Temperaturbereich von Raumtemperatur bis 1000 °C und ermöglicht die Abscheidung einer Vielzahl von Dünnschichtmaterialien.

Spezifikationen

• Modell: 0041-75950
• Hersteller: Applied Materials (AMAT)
• Typ: Chemischer Gasphasenabscheidungsreaktor (CVD).
• Temperaturbereich: Raumtemperatur bis 1000 °C
• Kompatible Substrate: Silizium, Saphir, Quarz, Glas
• Abscheidungsmaterialien: Siliziumnitrid, Siliziumdioxid, Aluminiumnitrid und mehr
• Heizmethoden: Elektronenbeschuss, Induktionserwärmung und andere Quellen

Merkmale

• Temperaturgesteuerte Kammer: Die Reaktionskammer ist für eine präzise Temperaturkontrolle ausgelegt und unterstützt sowohl Heiz- als auch Kühlfunktionen für eine optimale Filmabscheidung.
• Gaskontrollsystem: Eine Gaskontrolleinheit liefert während des Abscheidungsprozesses eine genaue Gasmenge an die Reaktionskammer und gewährleistet so eine präzise Kontrolle über die Qualität des Dünnfilms.
• Abscheidungsquelle: Die Abscheidungsquelle sorgt für eine kontrollierte Zufuhr von Material zur Reaktionskammer, wo es auf dem Substrat abgeschieden wird.
• Vielseitige Heizsensoren: Der Reaktor ist mit beheizten oder gekühlten Magnetsensoren ausgestattet, die verschiedene Heizmethoden wie Elektronenbeschuss und Induktionsheizung nutzen können.
• Kompatibilität mit mehreren Materialien: Der Reaktor ist für die Abscheidung von Filmen auf einer Vielzahl von Substraten ausgelegt, darunter Silizium, Saphir, Quarz und Glas.
• Dünnschichtmaterialien: Es kann eine Vielzahl dünner Schichten wie Siliziumnitrid, Siliziumdioxid und Aluminiumnitrid abscheiden, was es für verschiedene Anwendungen vielseitig macht.
• Benutzerfreundliches Design: Der Reaktor verfügt über eine intuitive Computerschnittstelle und bietet sowohl automatisierte als auch manuelle Betriebsoptionen für den Benutzerkomfort.
• Präzise Steuerung: Es ermöglicht eine genaue Steuerung von Temperatur, Gasfluss und Abscheidungsraten und ist somit ideal für eine Vielzahl von Anwendungen in der Halbleiter-, optoelektronischen und fotomechanischen Industrie.
• Robustes mechanisches Design: Der Reaktor besteht aus langlebigen Materialien und einem soliden mechanischen Design und gewährleistet einen sicheren und zuverlässigen Betrieb.