APPLIED MATERIALS 0010-59787 Keramik-Heizelement

Beschreibung

Der AMAT 0010-59787 PECVD-Reaktor ist eine Abscheidungskammer, die zum Abscheiden dünner Filme oder Schichten auf Substraten entwickelt wurde, die in verschiedenen elektronischen Geräten und Systemen verwendet werden. Das System nutzt einen CVD-Prozess (Chemical Vapour Deposition), um das gewünschte Filmmaterial auf der Oberfläche des Substrats abzuscheiden.

Spezifikationen

• Reaktortyp: PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition)
• Substratbeladung : Automatisierte Einzelladekammer
• Integrierte Module: Strom-, Vakuum- und Gaszufuhrsystem
• Abscheidungsverfahren : Niederdruck-, Niedertemperatur-CVD (LP-CVD)
• Prozesssteuerung: Grafische Oberfläche mit umfangreicher Datenprotokollierung
• Bedienfenster: Einstellbare Temperatur, Druck und Prozessparameter
• Prozessgas: Unterstützt mehrere reaktive Gase

Merkmale

• Kammerdesign: Das benutzerfreundliche Kammerdesign ermöglicht eine hervorragende Gleichmäßigkeit der Abscheidung und eine gleichmäßige Schichtdicke auf der gesamten Substratoberfläche.
• Automatisierung und Integration: Der Reaktor ist mit einer automatisierten Be- und Entladekammer sowie integrierten Strom-, Vakuum- und Gaszufuhrmodulen ausgestattet. Dieses Design minimiert die Zeit für die Handhabung des Substrats und sorgt so für kürzere Gesamtverarbeitungszeiten.
• Hohe Prozesstemperatur : Die Kammer kann höhere Prozesstemperaturen als herkömmliche thermische CVD-Prozesse erreichen, wodurch die Produktion von Dünnfilmen höherer Qualität ermöglicht wird.
• Benutzerfreundliche Bedienung: Das System ist für eine einfache, intuitive Bedienung konzipiert und verfügt über eine leicht zu navigierende grafische Oberfläche und eine robuste Systemarchitektur.
• Flexible Verarbeitungsparameter : Ein breites Prozessfenster ermöglicht es Benutzern, Temperatur, Druck und andere Parameter je nach spezifischen Abscheidungsanforderungen anzupassen. Diese Flexibilität unterstützt die Produktion einer breiten Palette hochwertiger Filme.
• LP-CVD-Prozess: Das reaktive Gaszufuhrsystem nutzt Niederdruck- und Niedertemperatur-CVD, um das erforderliche Dünnfilmmaterial auf der Substratoberfläche abzuscheiden. Das LP-CVD-Verfahren ermöglicht es Benutzern, aus mehreren reaktiven Gasen auszuwählen und die Gaszusammensetzung anzupassen, wodurch hochspezialisierte Filme hergestellt werden können.
• Gleichmäßige Abscheidung dünner Schichten : Das Kammerdesign gewährleistet eine äußerst gleichmäßige Schichtabscheidung mit der Möglichkeit präziser und wiederholbarer Schichtdickenprofile über die gesamte Substratoberfläche.
• Prozesskontrolle: Ausgestattet mit benutzerfreundlichen Steuerungen bietet das System umfangreiche Datenaufzeichnungs- und Prozesskontrollfunktionen und sorgt so für Prozesssicherheit und konsistente, zuverlässige Ergebnisse.