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Descripción

El AMAT 0041-75950 es un reactor de deposición química de vapor (CVD), diseñado como reactor de calentamiento o enfriamiento con temperatura controlada para la deposición de películas delgadas. Se utiliza para depositar películas conformes y uniformes sobre diversos sustratos. El reactor consta de una cámara de reacción encerrada en un recipiente sellado al vacío, lo que permite un control térmico preciso y una transferencia eficiente de material. Este equipo opera dentro de un rango de temperatura desde temperatura ambiente hasta 1000 °C, lo que permite la deposición de una variedad de materiales de película delgada.

Especificaciones

  • Modelo: 0041-75950
  • Fabricante: Materiales Aplicados (AMAT)
  • Tipo: Reactor de deposición química de vapor (CVD)
  • Rango de temperatura: temperatura ambiente hasta 1000 °C
  • Sustratos compatibles: silicio, zafiro, cuarzo, vidrio
  • Materiales de deposición: nitruro de silicio, dióxido de silicio, nitruro de aluminio y más
  • Métodos de calentamiento: bombardeo electrónico, calentamiento por inducción y otras fuentes

Características

  • Cámara con temperatura controlada: la cámara de reacción está diseñada para un control térmico preciso y admite funciones de calentamiento y enfriamiento para una deposición óptima de la película.
  • Sistema de control de gas: una unidad de control de gas suministra una cantidad precisa de gas a la cámara de reacción durante el proceso de deposición, lo que garantiza un control preciso sobre la calidad de la película delgada.
  • Fuente de deposición: la fuente de deposición proporciona un suministro controlado de material a la cámara de reacción, donde se deposita sobre el sustrato.
  • Sensores de calentamiento versátiles: el reactor está equipado con sensores magnéticos calentados o enfriados, capaces de utilizar varios métodos de calentamiento, como bombardeo de electrones y calentamiento por inducción.
  • Compatibilidad con múltiples materiales: el reactor está diseñado para depositar películas en una amplia gama de sustratos, incluidos silicio, zafiro, cuarzo y vidrio.
  • Materiales de película delgada: puede depositar una variedad de películas delgadas, como nitruro de silicio, dióxido de silicio y nitruro de aluminio, lo que lo hace versátil para diferentes aplicaciones.
  • Diseño fácil de usar: el reactor cuenta con una interfaz de computadora intuitiva y ofrece opciones de operación manual y automática para comodidad del usuario.
  • Control preciso: proporciona un control preciso sobre la temperatura, el flujo de gas y las tasas de deposición, lo que lo hace ideal para una amplia gama de aplicaciones en las industrias de semiconductores, optoelectrónica y fotomecánica.
  • Diseño mecánico robusto: Construido con materiales duraderos y un diseño mecánico sólido, el reactor garantiza un funcionamiento seguro y confiable.
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