MATERIALES APLICADOS 0010-59787 Calentador cerámico

Descripción

El reactor AMAT 0010-59787 PECVD es una cámara de deposición diseñada para depositar películas o capas delgadas sobre sustratos utilizados en diversos dispositivos y sistemas electrónicos. El sistema emplea un proceso de deposición química de vapor (CVD) para depositar el material de película deseado sobre la superficie del sustrato.

Especificaciones

• Tipo de reactor: PECVD (deposición química de vapor mejorada por plasma)
• Carga de sustrato: cámara de carga única automatizada
• Módulos integrados: sistema de suministro de energía, vacío y gas
• Proceso de deposición: CVD de baja presión y baja temperatura (LP-CVD)
• Control de procesos: interfaz gráfica con amplio registro de datos
• Ventana de funcionamiento: temperatura, presión y parámetros de proceso ajustables
• Gas de proceso: admite múltiples gases reactivos

Características

• Diseño de la cámara: el diseño de la cámara fácil de usar permite una excelente uniformidad de deposición y un espesor de capa consistente en toda la superficie del sustrato.
• Automatización e integración: El reactor está equipado con una cámara de carga y descarga automatizada, así como módulos integrados de potencia, vacío y suministro de gas. Este diseño minimiza el tiempo de manipulación del sustrato, lo que garantiza tiempos de procesamiento generales más cortos.
• Alta temperatura de proceso: la cámara puede alcanzar temperaturas de proceso más altas que los procesos CVD térmicos tradicionales, lo que permite la producción de películas delgadas de mayor calidad.
• Operación fácil de usar: el sistema está diseñado para una operación simple e intuitiva, presenta una interfaz gráfica fácil de navegar y una arquitectura de sistema robusta.
• Parámetros de procesamiento flexibles: una amplia ventana de proceso permite a los usuarios ajustar la temperatura, la presión y otros parámetros según las necesidades de deposición específicas. Esta flexibilidad respalda la producción de una amplia gama de películas de alta calidad.
• Proceso LP-CVD: el sistema de suministro de gas reactivo utiliza CVD a baja presión y baja temperatura para depositar el material de película delgada requerido sobre la superficie del sustrato. El proceso LP-CVD permite a los usuarios seleccionar entre múltiples gases reactivos y ajustar la composición del gas, lo que permite la creación de películas altamente especializadas.
• Deposición uniforme de película delgada: el diseño de la cámara garantiza una deposición de película altamente uniforme con el potencial de generar perfiles de espesor de película precisos y repetibles en toda la superficie del sustrato.
• Control de procesos: Equipado con controladores fáciles de usar, el sistema ofrece amplias funciones de registro de datos y control de procesos, lo que garantiza la seguridad del proceso y resultados consistentes y confiables.