Զտել և տեսակավորել
ABB IGCT/IGBT մոդուլներ
Հատուկ ԱՌԱՋԱՐԿՆԵՐ
-
Վաճառող: Bently Nevada
Bently Nevada 80074-02 Velometer XDUCR I/O & Record Terminal
Վաճառքի գին $260.00Սովորական գին $290.00 -
Վաճառող: Bently Nevada
Bently Nevada 80074-01 XDCR I/O And Recod Terminal Module
Վաճառքի գին $260.00Սովորական գին $290.00 -
Վաճառող: Bently Nevada
Bently Nevada 80917-01 TK15 Keyphasor Conditioner Power Supply Accelerometer
Վաճառքի գին $260.00Սովորական գին $290.00 -
Վաճառող: Bently Nevada
108000-02 | Բենթլի Նևադա | 108 Տվյալների հավաքագրման գործիք
Վաճառքի գին $300.00Սովորական գին $320.00
-
Վաճառող: ABB
3BHB013088R0001 | ABB 5SHY 3545L0010 IGCT ՄՈԴՈՒԼ
ABB 3BHB013088R0001 5SHY3545L0010 IGCT ՄՈԴՈՒԼ Ընդհանուր տեղեկություն Ապրանքի ID. 3BHB013088R0001 ABB տեսակի նշանակում. 5SHY 3545L0010 Կատալոգի նկարագրություն. IGCT ՄՈԴՈՒԼ Երկար նկարագրություն. 5SHY 3545L0010 լրացուցիչ տեղեկություն ABB տեսակի նշանակում. 5SHY 3545L0010 Հիմնական վարկ. 0.00 Ծագման երկիր՝ Շվեյցարիա...Վաճառքի գին $210.00Սովորական գին $250.00 -
Վաճառող: ABB
ABB 5SHY3545L0020 3BHE014105R0001 5SXE08-0166 IGCT ՄՈԴՈՒԼ
ABB 5SHY3545L0020 3BHE014105R0001 5SXE08-0166-ը IGCT (Integrated Gate-Commutated Thyristor) մոդուլ է, որը նախատեսված է էներգիայի էլեկտրոնիկայի մեջ բարձր էներգիայի անջատման կիրառումների համար: Հիմնական տեխնոլոգիական առանձնահատկությունները ներառում են. GTO կառուցվածք. IGCT-ն ներառում է GTO-ին նման տիրիստորի կառուցվածք, որն...Վաճառքի գին $210.00Սովորական գին $250.00 -
Վաճառող: ABB
ABB 3BHE014105R0001 5SHX26L4510 5SXE05-0154 Reverse Conducting IGCT մոդուլ
Ընդհանուր ակնարկ. Reverse Conducting Integrated Gate-Commutated Thyristor Անջատման բարձր վարկանիշ Օպտիմիզացված է միջին հաճախականության ( Բարձր հուսալիություն և էլեկտրամագնիսական իմունիտետ Պարզ կառավարման ինտերֆեյս կարգավիճակի հետադարձ կապով AC կամ DC մատակարարման լարումը Սերիայի միացման համար դիմեք գործարան...Վաճառքի գին $210.00Սովորական գին $250.00 -
Վաճառող: ABB
ABB 3BHB003230R0101 3BHL000392P0101 IGCT ՄՈԴՈՒԼ 5SHX 1060H0001
ACS1000 3BHL000392P0101 IGCT MODULE 5SHX 1060H0001 հզորության էլեկտրոնային կառավարման առաջադեմ մոդուլ է, որը մշակվել է ABB-ի կողմից բարձր լարման, բարձր էներգիայի կիրառման համար: Այն միավորում է ABB-ի լայնածավալ տեխնիկական փորձը ուժային էլեկտրոնիկայի և կառավարման ոլորտում՝ օգտվողներին...Վաճառքի գին $210.00Սովորական գին $250.00 -
Վաճառող: ABB
ABB 3BHB012961R0001 5SHX 2645L0002 IGCT ՄՈԴՈՒԼ
Ընդհանուր ակնարկ. ABB 3BHB012961R0001 5SHX 2645L0002 Integrated Gate-Commutated Thyristor (IGCT) հզոր անջատիչ սարք է, որը նախատեսված է բարձր էներգիայի պահանջարկ ունեցող ծրագրերի համար: Ի սկզբանե ձևավորվել է Gate Turn-Off Thyristor-ից (GTO), IGCT-ը դարձել է նախընտրելի ընտրություն...Վաճառքի գին $210.00Սովորական գին $250.00 -
Վաճառող: ABB
ABB 3BDH000031R1 FI 820F Fieldbus Module Serial
Ընդհանուր տեղեկություն Ապրանքի ID. 3BDH000031R1 ABB տեսակի նշում՝ FI 820F/FI820F Կատալոգի նկարագրություն. FI 820F Fieldbus Module Serial Երկար նկարագրություն. FI 820F, Fieldbus մոդուլ, Սերիալ (երկակի ալիք) լրացուցիչ տեղեկություն Միջին նկարագրություն. PM 802F կամ PM 803F հետ...Վաճառքի գին $350.00Սովորական գին $370.00
IGCT (Integrated Gate-Commutated Thyristor) և IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) երկուսն էլ էլեկտրական կիսահաղորդչային սարքեր են, որոնք օգտագործվում են տարբեր էլեկտրական ծրագրերում, ներառյալ ուժային էլեկտրոնիկան, շարժիչային շարժիչները, վերականգնվող էներգիայի համակարգերը և արդյունաբերական ավտոմատացումը: Ահա յուրաքանչյուրի համառոտ ակնարկը.
-
IGCT (Integrated Gate-Commutated Thyristor):
- IGCT-ն թրիստորի տեսակ է, որը միավորում է թրիստորների և IGBT-ների առավելությունները:
- Այն ունի բարձր արգելափակման լարման հնարավորություն, որը նման է թրիստորներին և արագ անջատման հնարավորություն, որը նման է IGBT-ներին:
- IGCT-ները օգտագործվում են բարձր հզորության ծրագրերում, որտեղ պահանջվում են ինչպես բարձր լարման, այնպես էլ բարձր հոսանքի բեռնաթափման հնարավորություններ:
- Դրանք սովորաբար օգտագործվում են այնպիսի ծրագրերում, ինչպիսիք են HVDC (Բարձր լարման ուղղակի հոսանքի) փոխանցման համակարգերը, արդյունաբերական շարժիչների շարժիչները և բարձր հզորության ինվերտորները:
-
IGBT (մեկուսացված դարպասի երկբևեռ տրանզիստոր):
- IGBT-ն տրանզիստորի տեսակ է, որը միավորում է MOSFET-ների (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors) և երկբևեռ միացման տրանզիստորների (BJT) առավելությունները:
- Այն ունի բարձր մուտքային դիմադրություն, ինչպես MOSFET-երը և բարձր հոսանք կրելու հնարավորություն, ինչպիսին է BJT-ը:
- IGBT-ները լայնորեն օգտագործվում են միջինից բարձր հզորության ծրագրերում, ինչպիսիք են շարժիչային շարժիչները, անխափան սնուցման աղբյուրները (UPS), վերականգնվող էներգիայի համակարգերը (օրինակ՝ արևային ինվերտորները և հողմային տուրբինի փոխարկիչները) և էլեկտրական տրանսպորտային միջոցները:
- Դրանք նախընտրելի են այնպիսի ծրագրերի համար, որտեղ կարևոր են արագ միացման արագությունները, բարձր արդյունավետությունը և բարձր հուսալիությունը:
Ամփոփելով, IGCT-ները և IGBT-ները երկուսն էլ էլեկտրաէներգիայի կիսահաղորդչային սարքեր են, որոնք օգտագործվում են էլեկտրական ծրագրերում, բայց դրանք ունեն տարբեր բնութագրեր և հարմար են տարբեր տեսակի ծրագրերի համար՝ ելնելով իրենց հատուկ կատարողական հնարավորություններից: