BAHAN YANG DIGUNAKAN 0010-59787 Pemanas Keramik

Keterangan

Reaktor PECVD AMAT 0010-59787 merupakan ruang pengendapan yang dirancang untuk mengendapkan lapisan tipis atau film pada substrat yang digunakan dalam berbagai perangkat dan sistem elektronik. Sistem ini menggunakan proses Chemical Vapor Deposition (CVD) untuk mengendapkan material film yang diinginkan pada permukaan substrat.

Spesifikasi

• Jenis Reaktor: PECVD (Deposisi Uap Kimia yang Ditingkatkan Plasma)
• Pemuatan Substrat : Ruang pemuatan tunggal otomatis
• Modul Terintegrasi: Sistem penyaluran daya, vakum, dan gas
• Proses Deposisi: CVD bertekanan rendah dan bersuhu rendah (LP-CVD)
• Kontrol Proses: Antarmuka grafis dengan pencatatan data ekstensif
• Jendela Pengoperasian: Suhu, tekanan, dan parameter proses yang dapat disesuaikan
• Gas Proses: Mendukung beberapa gas reaktif

Fitur

• Desain Ruang:Desain ruang yang mudah digunakan memungkinkan keseragaman deposisi yang sangat baik dan ketebalan lapisan yang konsisten di seluruh permukaan media.
• Otomasi dan Integrasi: Reaktor dilengkapi dengan ruang bongkar muat otomatis, serta modul penyalur daya, vakum, dan gas terintegrasi. Desain ini meminimalkan waktu penanganan media, memastikan waktu pemrosesan keseluruhan lebih singkat.
• Suhu Proses Tinggi: Ruang dapat mencapai suhu proses yang lebih tinggi dibandingkan proses CVD termal tradisional, sehingga memungkinkan produksi film tipis berkualitas lebih tinggi.
• Pengoperasian yang Ramah Pengguna: Sistem ini dirancang untuk pengoperasian yang sederhana dan intuitif, menampilkan antarmuka grafis yang mudah dinavigasi dan arsitektur sistem yang tangguh.
• Parameter Pemrosesan Fleksibel: Jendela proses yang luas memungkinkan pengguna menyesuaikan suhu, tekanan, dan parameter lainnya berdasarkan kebutuhan deposisi tertentu. Fleksibilitas ini mendukung produksi berbagai film berkualitas tinggi.
• Proses LP-CVD:Sistem pengiriman gas reaktif menggunakan CVD bertekanan rendah dan bersuhu rendah untuk menyimpan material film tipis yang diperlukan ke permukaan substrat. Proses LP-CVD memungkinkan pengguna untuk memilih dari beberapa gas reaktif dan menyesuaikan komposisi gas, sehingga memungkinkan pembuatan film yang sangat terspesialisasi.
• Deposisi Film Tipis Seragam: Desain ruang memastikan deposisi film yang sangat seragam dengan potensi profil ketebalan film yang presisi dan berulang di seluruh permukaan media.
• Kontrol Proses: Dilengkapi dengan pengontrol yang mudah digunakan, sistem ini menawarkan fitur perekaman data dan kontrol proses yang ekstensif, memastikan keamanan proses dan hasil yang konsisten dan andal.