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Moduli IGCT/IGBT ABB
Offerte speciali
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Fornitore: ABB
Unità di diramazione ABB NPCU-52C
No reviewsPrezzo in offerta $550.00Prezzo regolare $570.00 -
Fornitore: ABB
ABB 3BHB003230R0101 3BHL000392R0101 5SHX1060H0001 Modulo IGCT
No reviewsPrezzo in offerta $2,300.00Prezzo regolare $2,500.00 -
Fornitore: ABB
Modulo di Ingresso Digitale ABB PFBK 105 3BSE000470R1
No reviewsPrezzo in offerta $540.00Prezzo regolare $560.00 -
Fornitore: ABB
Modulo di Controllo Logico Programmabile ABB PFSC102
No reviewsPrezzo in offerta $540.00Prezzo regolare $560.00
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Fornitore: ABB
ABB 3BHL001863P0001 5SDD1060F0001 DIODO 50MM/6 kV
No reviewsPrezzo in offerta $540.00Prezzo regolare $560.00Informazioni generali Codice prodotto: 3BHL001863P0001 Designazione del tipo ABB: 5SDD1060F0001 Descrizione catalogo: 5SDD1060F0001; DIODO 50MM/6 kV Descrizione lunga: 5SDD1060F0001 informazioni sull'ordine Descrizione fattura: DIODO 50MM/6 kV Su ordinazione: no Quantità minima di ordine: 1 pezzo Ordine... -
Fornitore: ABB
Modulo IGCT ABB 5SHY4045L0004 3BHB021400R0002
No reviewsPrezzo in offerta $560.00Prezzo regolare $600.00Descrizione: L'ABB 5SHY4045L0004 3BHB021400R0002 è un modulo IGCT (Integrated Gate-Commutated Thyristor) progettato per combinare i vantaggi dei tiristori e dei transistor ad alta potenza. È ampiamente applicato nei sistemi elettronici di potenza come convertitori di frequenza,... -
Fornitore: ABB
ABB 3BHE039203R0101 GV C736 CE101 POWERSTACK-GU VARNIS
No reviewsPrezzo in offerta $350.00Prezzo regolare $370.00Informazioni generali: Codice prodotto: 3BHE039203R0101 Denominazione tipo ABB: GV C736 CE101: POWERSTACK-GU VARNIS Descrizione catalogo: Nessuna descrizione disponibile Informazioni aggiuntive: Nome prodotto: scheda driver gate Paese di origine: Cina (CN) Numero della tariffa doganale: 85049099 Peso... -
Fornitore: ABB
ABB 3BHL000389P0101 5SHX2645L0001 Modulo IGCT
No reviewsPrezzo in offerta $210.00Prezzo regolare $250.00Informazioni generali Codice prodotto: 3BHL000389P0101 Designazione del tipo ABB: 5SHX2645L0001 Descrizione catalogo: 5SHX2645L0001; MODULO IGCT Descrizione lunga: 5SHX2645L0001 Dimensioni Peso netto del prodotto : 2,6 kg Unità di livello 1 del pacchetto : 1 pezzo Informazioni... -
Fornitore: ABB
ABB 5SHX2645L0002 3BHB012961R0002 Modulo semiconduttore di potenza
No reviewsPrezzo in offerta $280.00Prezzo regolare $300.00Descrizione Codice prodotto: 3BHB012961R0002 Designazione del tipo: 5SHX2645L0002 Descrizione del catalogo: Modulo semiconduttore di potenza Specifiche Tensione nominale: 415V Corrente nominale: 32A Dimensioni: 392 x 926 x 870 mm Peso: 1kg Numero di poli: 4P Capacità... -
Fornitore: ABB
Modulo IGCT ABB 5SHY4045L0006 3BHB030310R0001
No reviewsPrezzo in offerta $560.00Prezzo regolare $600.00Descrizione Codice prodotto: 3BHB030310R0001 Denominazione del tipo: 4500 V, 91 mm, 5SHY 4045L0006 Descrizione catalogo: 4500V, 91mm, 5SHY 4045L0006; Modulo IGCT Specifiche Tensione nominale: 4500V Dimensioni: 91mm Peso netto: 3 kg Numero della tariffa doganale: 85413000...
IGCT (Integrated Gate-Commutated Thyristor) e IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) sono entrambi tipi di dispositivi a semiconduttore di potenza utilizzati in varie applicazioni elettriche, tra cui elettronica di potenza, azionamenti di motori, sistemi di energia rinnovabile e automazione industriale. Ecco una breve panoramica di ciascuno:
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IGCT (tiristore con commutazione a gate integrato):
- L'IGCT è un tipo di tiristore che combina i vantaggi dei tiristori e degli IGBT.
- Ha un'elevata capacità di tensione di blocco simile ai tiristori e una capacità di spegnimento rapido simile agli IGBT.
- Gli IGCT vengono utilizzati in applicazioni ad alta potenza in cui sono richieste capacità di gestione sia dell'alta tensione che della corrente elevata.
- Sono comunemente utilizzati in applicazioni quali sistemi di trasmissione HVDC (corrente continua ad alta tensione), azionamenti di motori industriali e inverter ad alta potenza.
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IGBT (transistor bipolare a gate isolato):
- L'IGBT è un tipo di transistor che combina i vantaggi dei MOSFET (transistor a effetto di campo a semiconduttore di ossido di metallo) e dei transistor a giunzione bipolare (BJT).
- Ha un'impedenza di ingresso elevata come i MOSFET e una capacità di trasporto di corrente elevata come i BJT.
- Gli IGBT sono ampiamente utilizzati in applicazioni di potenza medio-alta, come azionamenti di motori, gruppi di continuità (UPS), sistemi di energia rinnovabile (come inverter solari e convertitori di turbine eoliche) e veicoli elettrici.
- Sono preferiti per le applicazioni in cui sono importanti velocità di commutazione elevate, alta efficienza e alta affidabilità.
In sintesi, IGCT e IGBT sono entrambi dispositivi a semiconduttore di potenza utilizzati in applicazioni elettriche, ma hanno caratteristiche diverse e sono adatti a diversi tipi di applicazioni in base alle loro specifiche capacità prestazionali.
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