ABB 5SHY3545L0020 3BHE014105R0001 5SXE08-0166 è un modulo IGCT (Integrated Gate-Commutated Thyristor), progettato per applicazioni di commutazione ad alta potenza nell'elettronica di potenza.
Le principali caratteristiche tecnologiche includono:
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Struttura GTO: IGCT incorpora una struttura a tiristori simile a GTO, che fornisce capacità di gestione di correnti elevate.
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Struttura del cancello integrata: questo design consente il controllo del cancello per lo spegnimento, a differenza dei tiristori convenzionali.
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Strato buffer ed emettitore trasparente anodico: L'introduzione delle tecnologie di strato buffer ed emettitore trasparente anodico migliora le prestazioni di commutazione e riduce le perdite di spegnimento rispetto ai GTO tradizionali.
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Caratteristiche combinate: di conseguenza, IGCT offre sia l'elevata capacità di corrente nello stato attivo dei tiristori sia la capacità di spegnimento controllabile dei transistor, rendendoli adatti per applicazioni a frequenza da media ad alta e ad alta potenza .
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