Descrizione
Il reattore PECVD AMAT 0010-59787 è una camera di deposizione progettata per depositare film o strati sottili su substrati utilizzati in vari dispositivi e sistemi elettronici. Il sistema utilizza un processo di deposizione chimica in fase vapore (CVD) per depositare il materiale della pellicola desiderato sulla superficie del substrato.
Specifiche
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Tipo di reattore : PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)
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Caricamento del substrato : camera di caricamento singola automatizzata
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Moduli integrati : sistema di alimentazione, vuoto e erogazione del gas
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Processo di deposizione : CVD a bassa pressione e bassa temperatura (LP-CVD)
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Controllo di processo : interfaccia grafica con ampia registrazione dei dati
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Finestra operativa : temperatura, pressione e parametri di processo regolabili
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Gas di processo: supporta più gas reattivi
Caratteristiche
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Design della camera: il design della camera di facile utilizzo consente un'eccellente uniformità di deposizione e uno spessore dello strato costante sulla superficie del substrato.
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Automazione e integrazione: il reattore è dotato di una camera di carico e scarico automatizzata, nonché di moduli integrati di alimentazione, vuoto e erogazione del gas. Questo design riduce al minimo il tempo di gestione del substrato, garantendo tempi di elaborazione complessivi più brevi.
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Elevata temperatura di processo: la camera può raggiungere temperature di processo più elevate rispetto ai tradizionali processi CVD termici, consentendo la produzione di film sottili di qualità superiore.
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Funzionamento intuitivo: il sistema è progettato per un funzionamento semplice e intuitivo, caratterizzato da un'interfaccia grafica facile da navigare e da una solida architettura di sistema.
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Parametri di elaborazione flessibili: un'ampia finestra di processo consente agli utenti di regolare la temperatura, la pressione e altri parametri in base alle specifiche esigenze di deposizione. Questa flessibilità supporta la produzione di un’ampia gamma di film di alta qualità.
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Processo LP-CVD: il sistema di erogazione del gas reattivo utilizza CVD a bassa pressione e bassa temperatura per depositare il materiale a film sottile richiesto sulla superficie del substrato. Il processo LP-CVD consente agli utenti di scegliere tra più gas reattivi e di regolare la composizione del gas, consentendo la creazione di pellicole altamente specializzate.
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Deposizione uniforme del film sottile: il design della camera garantisce una deposizione del film altamente uniforme con la possibilità di profili di spessore del film precisi e ripetibili su tutta la superficie del substrato.
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Controllo del processo: dotato di controller intuitivi, il sistema offre ampie funzionalità di registrazione dei dati e controllo del processo, garantendo la sicurezza del processo e risultati coerenti e affidabili.
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