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Módulos ABB IGCT/IGBT
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Fornecedor: ABB
Placa do módulo ABB 5SXE04-0150 3BHB003154R0101 3BHL000390P0104 IGCT
Visão geral da placa do módulo IIGCT da ABB: Fabricante: ABB Produtos: Placa do Módulo IGCT (IGCT significa Tiristor Comutado de Porta Isolada) Doença: Novo e em estoque Dimensões: 35 cm x 29 cm x 6,5...Preço de venda $210.00Preço regular $250.00 -
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3BHB013088R0001 | MÓDULO IGCT ABB 5SHY 3545L0010
MÓDULO IGCT ABB 3BHB013088R0001 5SHY3545L0010 Informações gerais ID do produto: 3BHB013088R0001 Designação de tipo ABB: 5SHY 3545L0010 Descrição do catálogo: MÓDULO IGCT Longa descrição: 5SHY 3545L0010 Informações adicionais Designação de tipo ABB: 5SHY 3545L0010 Crédito principal:...Preço de venda $210.00Preço regular $250.00 -
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MÓDULO ABB 5SHY3545L0020 3BHE014105R0001 5SXE08-0166 IGCT
O ABB 5SHY3545L0020 3BHE014105R0001 5SXE08-0166 é um módulo IGCT (Integrated Gate-Commutated Thyristor), projetado para aplicações de comutação de alta potência em eletrônica de potência. Os principais recursos tecnológicos incluem: Estrutura GTO: IGCT incorpora uma estrutura de...Preço de venda $210.00Preço regular $250.00 -
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Módulo IGCT de condução reversa ABB 3BHE014105R0001 5SHX26L4510 5SXE05-0154
Visão geral: Tiristor comutado por porta integrado de condução reversa Alta classificação de desligamento sem amortecedor Otimizado para média frequência ( Alta confiabilidade e imunidade eletromagnética Interface de controle simples com feedback de status Tensão de...Preço de venda $210.00Preço regular $250.00 -
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ABB 3BHB003230R0101 3BHL000392P0101 MÓDULO IGCT 5SHX 1060H0001
O ACS1000 3BHL000392P0101 MÓDULO IGCT 5SHX 1060H0001 é um módulo de controle eletrônico de potência avançado desenvolvido pela ABB para aplicações de alta tensão e alta potência. Ele integra o amplo conhecimento técnico da ABB em...Preço de venda $210.00Preço regular $250.00 -
Fornecedor: ABB
MÓDULO IGCT ABB 3BHB012961R0001 5SHX 2645L0002
Visão geral: O tiristor integrado de porta comutada (IGCT) ABB 3BHB012961R0001 5SHX 2645L0002 é um poderoso dispositivo de comutação projetado para aplicações exigentes de alta potência. Originalmente desenvolvido a partir do Gate Turn-Off Thyristor (GTO), o...Preço de venda $210.00Preço regular $250.00
IGCT (Tiristor Comutado por Porta Integrada) e IGBT (Transistor Bipolar de Porta Isolada) são ambos tipos de dispositivos semicondutores de potência usados em diversas aplicações elétricas, incluindo eletrônica de potência, acionamentos de motores, sistemas de energia renovável e automação industrial. Aqui está uma breve visão geral de cada um:
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IGCT (Tiristor Comutado por Porta Integrado):
- IGCT é um tipo de tiristor que combina as vantagens dos tiristores e dos IGBTs.
- Possui alta capacidade de tensão de bloqueio semelhante aos tiristores e capacidade de desligamento rápido semelhante aos IGBTs.
- Os IGCTs são usados em aplicações de alta potência onde são necessárias capacidades de manipulação de alta tensão e alta corrente.
- Eles são comumente usados em aplicações como sistemas de transmissão HVDC (corrente contínua de alta tensão), acionamentos de motores industriais e inversores de alta potência.
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IGBT (transistor bipolar de porta isolada):
- IGBT é um tipo de transistor que combina as vantagens dos MOSFETs (transistores de efeito de campo semicondutores de óxido metálico) e transistores de junção bipolar (BJTs).
- Ele tem uma alta impedância de entrada como os MOSFETs e uma capacidade de transporte de alta corrente como os BJTs.
- Os IGBTs são amplamente utilizados em aplicações de média a alta potência, como acionamentos de motores, fontes de alimentação ininterruptas (UPS), sistemas de energia renovável (como inversores solares e conversores de turbinas eólicas) e veículos elétricos.
- Eles são preferidos para aplicações onde velocidades de comutação rápidas, alta eficiência e alta confiabilidade são importantes.
Em resumo, IGCTs e IGBTs são dispositivos semicondutores de potência usados em aplicações elétricas, mas possuem características diferentes e são adequados para diferentes tipos de aplicações com base em suas capacidades específicas de desempenho.