ПРИМЕНЯЕМЫЕ МАТЕРИАЛЫ 0010-59787 Керамический нагреватель

Описание

AMAT 0010-59787 PECVD-реактор представляет собой камеру осаждения, предназначенную для нанесения тонких пленок или слоев на подложки, используемые в различных электронных устройствах и системах. В системе используется процесс химического осаждения из паровой фазы (CVD) для нанесения желаемого пленочного материала на поверхность подложки.

Технические характеристики

• Тип реактора: PECVD (химическое осаждение из паровой фазы с плазмой)
• Загрузка субстрата: автоматизированная одинарная загрузочная камера.
• Интегрированные модули: система подачи электроэнергии, вакуума и газа.
• Процесс осаждения: CVD при низком давлении и низкой температуре (LP-CVD).
• Управление процессом: графический интерфейс с расширенной регистрацией данных.
• Рабочее окно: регулируемая температура, давление и параметры процесса.
• Технологический газ: поддержка нескольких химически активных газов.

Функции

• Конструкция камеры: Простая в использовании конструкция камеры обеспечивает превосходную однородность нанесения и постоянную толщину слоя по всей поверхности подложки.
• Автоматизация и интеграция: Реактор оснащен автоматизированной камерой загрузки и разгрузки, а также встроенными модулями питания, вакуума и подачи газа. Такая конструкция сводит к минимуму время обработки подложки, обеспечивая сокращение общего времени обработки.
• Высокая температура процесса: камера может достигать более высоких температур процесса, чем традиционные процессы термического CVD, что позволяет производить тонкие пленки более высокого качества.
• Удобство использования. Система спроектирована для простого и интуитивно понятного управления, имеет простой в навигации графический интерфейс и надежную системную архитектуру.
• Гибкие параметры обработки. Широкое окно процесса позволяет пользователям регулировать температуру, давление и другие параметры в зависимости от конкретных потребностей осаждения. Такая гибкость позволяет производить широкий ассортимент высококачественных пленок.
• Процесс LP-CVD: Система подачи реактивного газа использует CVD при низком давлении и низкой температуре для нанесения необходимого тонкопленочного материала на поверхность подложки. Процесс LP-CVD позволяет пользователям выбирать из нескольких химически активных газов и регулировать газовый состав, что позволяет создавать узкоспециализированные пленки.
• Равномерное осаждение тонкой пленки. Конструкция камеры обеспечивает очень равномерное осаждение пленки с возможностью получения точных и повторяемых профилей толщины пленки по всей поверхности подложки.
• Управление процессом. Оснащенная удобными для пользователя контроллерами, система предлагает обширные функции записи данных и управления процессом, обеспечивая безопасность процесса и стабильные и надежные результаты.