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Modules ABB IGCT/IGBT

Offres spéciales
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Fournisseur : Allen-Bradley
Allen Bradley 2711P-T10C15D1 Terminal graphique PanelView Plus 1000
No reviewsPrix en solde $2,000.00Prix régulier $2,100.00 -
Fournisseur : ABB
INSEM11 | ABB Bailey | Module Maître de Séquence des Événements
No reviewsPrix en solde $260.00Prix régulier $300.00 -
Fournisseur : Allen-Bradley
Allen Bradley 2711P-B6C20A PanelView Plus 6 Terminal
No reviewsPrix en solde $2,000.00Prix régulier $2,300.00 -
Fournisseur : ABB
Câble de module analogique ABB NKAS01-L5 TU
No reviewsPrix en solde $400.00Prix régulier $420.00
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Fournisseur : ABB
DIODES ABB 3BHL001863P0001 5SDD1060F0001 50MM/6 kV
No reviewsPrix en solde $540.00Prix régulier $560.00Informations générales Identifiant du produit : 3BHL001863P0001 Désignation du type ABB : 5SDD1060F0001 Description du catalogue : 5SDD1060F0001 ; DIODE 50MM/6kV Longue description: 5SDD1060F0001 Informations de commande Description de la facture : DIODE 50MM/6 kV Fabriqué sur commande : non Quantité minimum de... -
Fournisseur : ABB
Module IGCT ABB 5SHY4045L0004 3BHB021400R0002
No reviewsPrix en solde $560.00Prix régulier $600.00Description: L'ABB 5SHY4045L0004 3BHB021400R0002 est un module IGCT (Integrated Gate-Commutated Thyristor) conçu pour combiner les avantages des thyristors et des transistors haute puissance. Il est largement utilisé dans les systèmes électroniques de puissance tels que les... -
Fournisseur : ABB
ABB 3BHE039203R0101 GV C736 CE101 POWERSTACK-GU VARNIS
No reviewsPrix en solde $350.00Prix régulier $370.00Informations générales: Identifiant du produit : 3BHE039203R0101 Désignation du type ABB : GV C736 CE101 : POWERSTACK-GU VARNIS Description du catalogue : Aucune description disponible Informations Complémentaires: Nom du produit: carte de pilote de porte Pays d'origine : Chine (CN) Numéro... -
Fournisseur : ABB
Module IGCT ABB 3BHL000389P0101 5SHX2645L0001
No reviewsPrix en solde $210.00Prix régulier $250.00Informations générales Identifiant du produit: 3BHL000389P0101 Désignation du type ABB: 5SHX2645L0001 Description du catalogue : 5SHX2645L0001 ; MODULE IGCT longue description: 5SHX2645L0001 Dimensions Poids net du produit : 2,6 kg Unités de niveau 1 : 1 pièce Informations techniques... -
Fournisseur : ABB
Module semi-conducteur de puissance ABB 5SHX2645L0002 3BHB012961R0002
No reviewsPrix en solde $280.00Prix régulier $300.00Description Identifiant du produit : 3BHB012961R0002 Désignation de type: 5SHX2645L0002 Description du catalogue : Module semi-conducteur de puissance Caractéristiques Tension nominale: 415V Courant nominal : 32A Dimensions : 392 x 926 x 870 mm Poids : 1 kg Nombre... -
Fournisseur : ABB
Module IGCT ABB 5SHY4045L0006 3BHB030310R0001
No reviewsPrix en solde $560.00Prix régulier $600.00Description Identifiant du produit : 3BHB030310R0001 Désignation du type : 4 500 V, 91 mm, 5SHY 4045L0006 Description du catalogue : 4 500 V, 91 mm, 5SHY 4045L0006 ; Module IGCT Caractéristiques Tension nominale: 4500V Dimensions : 91 mm Poids...
L'IGCT (Integrated Gate-Commutated Thyristor) et l'IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) sont deux types de dispositifs à semi-conducteurs de puissance utilisés dans diverses applications électriques, notamment l'électronique de puissance, les entraînements de moteur, les systèmes d'énergie renouvelable et l'automatisation industrielle. Voici un bref aperçu de chacun :
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IGCT (thyristor à commutation de grille intégré) :
- L'IGCT est un type de thyristor qui combine les avantages des thyristors et des IGBT.
- Il possède une capacité de tension de blocage élevée similaire à celle des thyristors et une capacité de désactivation rapide similaire à celle des IGBT.
- Les IGCT sont utilisés dans les applications à haute puissance où des capacités de gestion de haute tension et de courant élevé sont requises.
- Ils sont couramment utilisés dans des applications telles que les systèmes de transmission HVDC (courant continu haute tension), les entraînements de moteurs industriels et les onduleurs haute puissance.
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IGBT (Transistor Bipolaire à Grille Isolée) :
- L'IGBT est un type de transistor qui combine les avantages des MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors) et des transistors à jonction bipolaire (BJT).
- Il a une impédance d'entrée élevée comme les MOSFET et une capacité de transport de courant élevé comme les BJT.
- Les IGBT sont largement utilisés dans les applications de moyenne à haute puissance, telles que les entraînements de moteurs, les alimentations sans coupure (UPS), les systèmes d'énergie renouvelable (tels que les onduleurs solaires et les convertisseurs d'éoliennes) et les véhicules électriques.
- Ils sont préférés pour les applications où des vitesses de commutation rapides, un rendement élevé et une fiabilité élevée sont importants.
En résumé, les IGCT et les IGBT sont tous deux des dispositifs à semi-conducteurs de puissance utilisés dans les applications électriques, mais ils ont des caractéristiques différentes et conviennent à différents types d'applications en fonction de leurs capacités de performances spécifiques.
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