Description
Le réacteur AMAT 0010-59787 PECVD est une chambre de dépôt conçue pour déposer des films ou des couches minces sur des substrats utilisés dans divers appareils et systèmes électroniques. Le système utilise un processus de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) pour déposer le matériau de film souhaité sur la surface du substrat.
Caractéristiques
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Type de réacteur : PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)
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Chargement du substrat : chambre de chargement unique automatisée
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Modules intégrés : système de distribution d'énergie, de vide et de gaz
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Procédé de dépôt : CVD basse pression et basse température (LP-CVD)
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Contrôle des processus : interface graphique avec enregistrement étendu des données
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Fenêtre de fonctionnement : paramètres de température, de pression et de processus réglables
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Gaz de procédé : prend en charge plusieurs gaz réactifs
Caractéristiques
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Conception de la chambre : la conception de la chambre facile à utiliser permet une excellente uniformité de dépôt et une épaisseur de couche constante sur toute la surface du substrat.
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Automatisation et intégration : le réacteur est équipé d'une chambre de chargement et de déchargement automatisée, ainsi que de modules intégrés d'alimentation, de vide et de distribution de gaz. Cette conception minimise le temps de manipulation du substrat, garantissant ainsi des temps de traitement globaux plus courts.
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Température de processus élevée : la chambre peut atteindre des températures de processus plus élevées que les processus CVD thermiques traditionnels, permettant la production de films minces de meilleure qualité.
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Fonctionnement convivial : le système est conçu pour un fonctionnement simple et intuitif, avec une interface graphique facile à naviguer et une architecture système robuste.
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Paramètres de traitement flexibles : une large fenêtre de processus permet aux utilisateurs d'ajuster la température, la pression et d'autres paramètres en fonction des besoins de dépôt spécifiques. Cette flexibilité permet la production d'une large gamme de films de haute qualité.
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Procédé LP-CVD : le système de distribution de gaz réactif utilise un CVD à basse pression et à basse température pour déposer le matériau de couche mince requis sur la surface du substrat. Le processus LP-CVD permet aux utilisateurs de choisir parmi plusieurs gaz réactifs et d'ajuster la composition des gaz, permettant ainsi la création de films hautement spécialisés.
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Dépôt uniforme de couche mince : la conception de la chambre garantit un dépôt de film très uniforme avec la possibilité d'obtenir des profils d'épaisseur de film précis et reproductibles sur toute la surface du substrat.
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Contrôle des processus : équipé de contrôleurs conviviaux, le système offre des fonctionnalités étendues d'enregistrement des données et de contrôle des processus, garantissant la sécurité des processus et des résultats cohérents et fiables.
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