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InquiryCaractéristiques:
- Modèle: 0010-59798
- Fabricant : Applied Materials
- Type : Chauffage en céramique
- Température maximale : 1200°C
- Élément chauffant : Carbure de silicium (SiC)
Principales caractéristiques:
- Performance à haute température : fonctionne efficacement à des températures allant jusqu'à 1 200 °C.
- Chauffage uniforme : assure une répartition uniforme de la température sur toute la surface chauffante.
- Vitesse de chauffage rapide : atteint rapidement la température réglée.
- Longue durée de vie : conçu pour une utilisation prolongée avec un minimum de besoins d'entretien.
- Forte compatibilité : peut être utilisé avec divers équipements de fabrication de semi-conducteurs.
Applications:
- Principalement utilisé dans la fabrication de semi-conducteurs, notamment pour les procédés de dépôt épitaxial.
- Permet la croissance de films minces (tels que le silicium, le germanium et les composés III-V) en chauffant le substrat.
- Également applicable dans des processus tels que le dépôt chimique en phase vapeur (CVD) et le dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD).
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