Զտել և տեսակավորել
ABB IGCT/IGBT մոդուլներ
Հատուկ ԱՌԱՋԱՐԿՆԵՐ
-
Վաճառող: Bently Nevada
Bently Nevada 80074-02 Velometer XDUCR I/O & Record Terminal
Վաճառքի գին $260.00Սովորական գին $290.00 -
Վաճառող: Bently Nevada
Bently Nevada 80074-01 XDCR I/O And Recod Terminal Module
Վաճառքի գին $260.00Սովորական գին $290.00 -
Վաճառող: Bently Nevada
Bently Nevada 80917-01 TK15 Keyphasor Conditioner Power Supply Accelerometer
Վաճառքի գին $260.00Սովորական գին $290.00 -
Վաճառող: Bently Nevada
108000-02 | Բենթլի Նևադա | 108 Տվյալների հավաքագրման գործիք
Վաճառքի գին $300.00Սովորական գին $320.00
-
Վաճառող: ABB
ABB 3BHL001863P0001 5SDD1060F0001 ԴԻՈԴ 50ՄՄ/6 կՎ
Ընդհանուր տեղեկություն Ապրանքի ID. 3BHL001863P0001 ABB տեսակի նշանակում. 5SDD1060F0001 Կատալոգի նկարագրություն՝ 5SDD1060F0001; ԴԻՈԴ 50ՄՄ/6 կՎ Երկար նկարագրություն. 5SDD1060F0001 Պատվերների մասին տեղեկություններ Հաշիվների նկարագրություն. ԴԻՈԴ 50 ՄՄ/6 կՎ Պատրաստված է պատվերով: Ոչ Պատվերի նվազագույն քանակը՝ 1 հատ...Վաճառքի գին $540.00Սովորական գին $560.00 -
Վաճառող: ABB
ABB 5SHY4045L0004 3BHB021400R0002 IGCT մոդուլ
Նկարագրություն: ABB 5SHY4045L0004 3BHB021400R0002 IGCT (Integrated Gate-Commutated Thyristor) մոդուլ է, որը նախատեսված է համատեղելու թրիստորների և բարձր հզորության տրանզիստորների առավելությունները: Այն լայնորեն կիրառվում է ուժային էլեկտրոնային համակարգերում, ինչպիսիք են հաճախականության փոխարկիչները, ինվերտորները և DC կրիչներ: Տեխնիկական...Վաճառքի գին $560.00Սովորական գին $600.00 -
Վաճառող: ABB
ABB 3BHE039203R0101 GV C736 CE101 POWERSTACK-GU VARNIS
Ընդհանուր տեղեկություն: Ապրանքի ID. 3BHE039203R0101 ABB տիպի նշում՝ GV C736 CE101՝ POWERSTACK-GU VARNIS Կատալոգի նկարագրություն. Նկարագրություն չկա Լրացուցիչ տեղեկություն: Ապրանքի անվանումը՝ Gate Driver Board Ծագման երկիր՝ Չինաստան (CN) Մաքսային սակագնի համարը: 85049099 Համախառն քաշը՝ 0,001 կգ...Վաճառքի գին $350.00Սովորական գին $370.00 -
Վաճառող: ABB
ABB 3BHL000389P0101 5SHX2645L0001 IGCT մոդուլ
Ընդհանուր տեղեկություն Ապրանքի ID: 3BHL000389P0101 ABB տեսակի նշանակում: 5SHX2645L0001 Կատալոգի նկարագրություն. 5SHX2645L0001; IGCT ՄՈԴՈՒԼ Երկար նկարագրություն: 5SHX2645L0001 Չափերը Ապրանքի զուտ քաշը ` 2,6 կգ Փաթեթի 1-ին մակարդակի միավոր՝ 1 հատ Տեխնիկական տեղեկատվություն Շրջանակի չափը. Պահեստամասեր Բնապահպանական...Վաճառքի գին $210.00Սովորական գին $250.00 -
Վաճառող: ABB
ABB 5SHX2645L0002 3BHB012961R0002 Power կիսահաղորդչային մոդուլ
Նկարագրություն Ապրանքի ID. 3BHB012961R0002 Տեսակ Նշում: 5SHX2645L0002 Կատալոգի նկարագրություն. Power Semiconductor Module Տեխնիկական պայմաններ Գնահատված լարումը: 415V Գնահատված ընթացիկ. 32A Չափերը՝ 392 x 926 x 870 մմ Քաշը՝ 1 կգ Լեհերի թիվը: 4P Կարճ միացման հատվածի...Վաճառքի գին $280.00Սովորական գին $300.00 -
Վաճառող: ABB
ABB 5SHY4045L0006 3BHB030310R0001 IGCT մոդուլ
Նկարագրություն Ապրանքի ID. 3BHB030310R0001 Տիպի նշում՝ 4500V, 91 մմ, 5SHY 4045L0006 Կատալոգի նկարագրություն. 4500V, 91mm, 5SHY 4045L0006; IGCT մոդուլ Տեխնիկական պայմաններ Գնահատված լարումը: 4500V Չափերը՝ 91 մմ Զուտ քաշը՝ 3 կգ Մաքսային սակագնի համարը: 85413000 Ծագման...Վաճառքի գին $560.00Սովորական գին $600.00
IGCT (Integrated Gate-Commutated Thyristor) և IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) երկուսն էլ էլեկտրական կիսահաղորդչային սարքեր են, որոնք օգտագործվում են տարբեր էլեկտրական ծրագրերում, ներառյալ ուժային էլեկտրոնիկան, շարժիչային շարժիչները, վերականգնվող էներգիայի համակարգերը և արդյունաբերական ավտոմատացումը: Ահա յուրաքանչյուրի համառոտ ակնարկը.
-
IGCT (Integrated Gate-Commutated Thyristor):
- IGCT-ն թրիստորի տեսակ է, որը միավորում է թրիստորների և IGBT-ների առավելությունները:
- Այն ունի բարձր արգելափակման լարման հնարավորություն, որը նման է թրիստորներին և արագ անջատման հնարավորություն, որը նման է IGBT-ներին:
- IGCT-ները օգտագործվում են բարձր հզորության ծրագրերում, որտեղ պահանջվում են ինչպես բարձր լարման, այնպես էլ բարձր հոսանքի բեռնաթափման հնարավորություններ:
- Դրանք սովորաբար օգտագործվում են այնպիսի ծրագրերում, ինչպիսիք են HVDC (Բարձր լարման ուղղակի հոսանքի) փոխանցման համակարգերը, արդյունաբերական շարժիչների շարժիչները և բարձր հզորության ինվերտորները:
-
IGBT (մեկուսացված դարպասի երկբևեռ տրանզիստոր):
- IGBT-ն տրանզիստորի տեսակ է, որը միավորում է MOSFET-ների (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors) և երկբևեռ միացման տրանզիստորների (BJT) առավելությունները:
- Այն ունի բարձր մուտքային դիմադրություն, ինչպես MOSFET-երը և բարձր հոսանք կրելու հնարավորություն, ինչպիսին է BJT-ը:
- IGBT-ները լայնորեն օգտագործվում են միջինից բարձր հզորության ծրագրերում, ինչպիսիք են շարժիչային շարժիչները, անխափան սնուցման աղբյուրները (UPS), վերականգնվող էներգիայի համակարգերը (օրինակ՝ արևային ինվերտորները և հողմային տուրբինի փոխարկիչները) և էլեկտրական տրանսպորտային միջոցները:
- Դրանք նախընտրելի են այնպիսի ծրագրերի համար, որտեղ կարևոր են արագ միացման արագությունները, բարձր արդյունավետությունը և բարձր հուսալիությունը:
Ամփոփելով, IGCT-ները և IGBT-ները երկուսն էլ էլեկտրաէներգիայի կիսահաղորդչային սարքեր են, որոնք օգտագործվում են էլեկտրական ծրագրերում, բայց դրանք ունեն տարբեր բնութագրեր և հարմար են տարբեր տեսակի ծրագրերի համար՝ ելնելով իրենց հատուկ կատարողական հնարավորություններից: